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STH3N150-2

Name: STMicroelectronics STH3N150-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STH3N150-2
Price: 5.18 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STH3N150-2

Herst.- Nr.:

STH3N150-2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

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Datenblatt:

STH3N150-2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 5,18	€ 5,18
	€ 3,47	€ 34,70
	€ 2,50	€ 250,00
	€ 2,48	€ 1 240,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	€ 2,31	€ 2 310,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	H2PAK-2
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.5 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	2.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	29.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	140 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerMESH
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	SG
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	SG
Abfallzeit:	61 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.6 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	47 ns
Serie:	STH3N150-2
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	45 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24 ns
Gewicht pro Stück:	4 g

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Datenblatt

STH3N150-2 Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Kanal-PowerMESH-Leistungs-MOSFETs

DieSTMicroelectronics N-Kanal-PowerMESH-Leistungs-MOSFETs werden mit dem konsolidierten Streifenlayout basierend auf dem MESH OVERLAY™ Prozess von STMicroelectronics hergestellt. Dieser Prozess bringt eine fortgeschrittene Produktfamilie von Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs mit hervorragender Leistung hervor. Das optimierte Layout zusammen mit der proprietären Randabschlussstruktur bietet den niedrigsten R_DS(on) pro Bereich, eine Gateladung und Schaltereigenschaften, die konkurrenzlos sind.
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