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STI4N62K3

Name: STMicroelectronics STI4N62K3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STI4N62K3
Price: 1.51 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STI4N62K3

Herst.- Nr.:

STI4N62K3

Herst.:

STMicroelectronics

Datenblatt:

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-262-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	620 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.75 V
Qg - Gate-Ladung:	22 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	70 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SuperMESH
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	19 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	STI4N62K3
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	29 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Gewicht pro Stück:	2,387 g