STL18N60M6

STMicroelectronics
511-STL18N60M6
STL18N60M6

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-channel 600 V, 255 mOhm typ., 9 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV

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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8
N-Channel
1 Channel
600 V
9 A
308 mOhms
- 20 V, 20 V
3.25 V
16.8 nC
- 55 C
+ 150 C
57 W
Enhancement
MDmesh
Reel
Marke: STMicroelectronics
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: Not Available
Abfallzeit: 9 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 7 ns
Serie: Mdmesh M6
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 28 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 16 ns
Gewicht pro Stück: 76 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MDmesh™ M6-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ M6-MOSFETs kombinieren eine niedrige Gate-Ladung (Qg) mit einem optimierten Kapazitätsprofil, um einen hohen Wirkungsgrad auf neuen Topologien in Leistungsumwandlungsapplikationen zu ermöglichen. Die Super-Junction MDmesh™ M6-Baureihe bietet ein Betriebsverhalten mit hohem Wirkungsgrad, wodurch eine erhöhte Leistungsdichte und eine niedrige Gate-Ladung für den Betrieb bei hohen Frequenzen erzielt wird. Die MOSFETs der M6-Baureihe verfügen über eine Durchschlagspannung von 600 bis 700 V und sind in einer großen Auswahl von Gehäuseoptionen erhältlich. Dazu gehören eine TO-Leadless-(TO-LL)-Gehäuselösung, die ein effizientes Wärmemanagement ermöglicht. Die Bauteile umfassen eine große Auswahl von Betriebsspannungen für Industrieapplikationen, einschließlich Ladegeräte, Adapter, Silver-Box-Module, LED-Beleuchtung, Telekommunikation, Server und Solarapplikationen.