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STL33N60DM6

Name: STMicroelectronics STL33N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL33N60DM6
Price: 1.29 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STL33N60DM6

Herst.- Nr.:

STL33N60DM6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 125 mOhm typ., 21 A MDmesh DM6 Power MOSFET in PowerFLAT 8x8 HV

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Datenblatt:

STL33N60DM6 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	21 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	140 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.25 V
Qg - Gate-Ladung:	35 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	150 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	SG
Abfallzeit:	35 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9 ns
Serie:	STL33N60DM2
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns

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Datenblatt

STL33N60DM6 Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

STx24N60DM2 n-Kanal-, FDmesh II Plus™ Leistungs-MOSFETs

Die STMicroelectronics MDmesh DM2 -Serie ist STs neueste Serie von schnellen Freilaufdioden der 600V Leistungs-MOSFETs, die für ZVS-phasenverschobene Brückentopologien optimiert sind. Sie weisen eine sehr niedrige Wiederherstellungsladung und -zeit (Qrr, trr) auf und zeigen einen um 20% niedrigeren R_DS(on), verglichen mit der vorhergehenden Generation. Hohe dV/dt-Robustheit (40V/ns) stellt eine verbesserte Systemzuverlässigkeit sicher.
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