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STL57N65M5

Name: STMicroelectronics STL57N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STL57N65M5
Price: 9.99 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STL57N65M5

Herst.- Nr.:

STL57N65M5

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5

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Datenblatt:

STL57N65M5 Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 9,99	€ 9,99
	€ 6,96	€ 69,60
	€ 6,15	€ 615,00
	€ 6,05	€ 3 025,00
	€ 5,73	€ 5 730,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 5,64	€ 16 920,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerFLAT-8x8-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	22.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	61 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	96 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	189 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	11 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10.8 ns
Serie:	Mdmesh M5
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	180 mg

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Datenblatt

STL57N65M5 Datenblatt (PDF)

Models

STL57N65M5 Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

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