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STPSC406D

Name: STMicroelectronics STPSC406D
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC406D
Price: 0.98 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STPSC406D

Herst.- Nr.:

STPSC406D

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden 600 V Power Schottky Diode

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Herst.:

STMicroelectronics

Herst.- Nr.:

STPSC4H065D

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden 650V pwr Schottky 4A 650V VRRM

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220AC-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	4 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	600 V
Vf - Durchlassspannung:	1.9 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	14 A
Ir - Sperrstrom:	50 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	STPSC
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

STPSC406D Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 8541100901
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics Schottky Silicon-Carbide Diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with four times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). The low reverse recovery characteristics make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings in SMPS applications and in emerging domains such as solar energy conversion, EV or HEV charging stations. They are also ideal for other applications such as welding equipment and air conditioners. STMicroelectronics SiC product portfolio includes a 20A, 600V diode, housed in a halogen-free TO-247 package, to extend its 4A to 12A, through-hole, and SMD package offer. The second generation, with a 6A, 1200V device, and a 650V series are also available.