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STU6N65M2

Name: STMicroelectronics STU6N65M2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STU6N65M2
Price: 1.38 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STU6N65M2

Herst.- Nr.:

STU6N65M2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 650 V, 1.2 Ohm typ., 4 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package

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Datenblatt:

STU6N65M2 Datenblatt (PDF)

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	€ 0,718	€ 7,18
	€ 0,535	€ 53,50
	€ 0,445	€ 222,50
	€ 0,376	€ 376,00
	€ 0,371	€ 1 113,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-251-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.35 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	9.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	60 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	20 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7 ns
Serie:	STU6N65M2
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	6.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	19 ns
Gewicht pro Stück:	340 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
ST NCNR & NON Warrantied

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5-1013-36

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Datenblatt

STU6N65M2 Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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