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STWA70N60DM6

Name: STMicroelectronics STWA70N60DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STWA70N60DM6
Price: 3.85 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STWA70N60DM6

Herst.- Nr.:

STWA70N60DM6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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Datenblatt:

STWA70N60DM6 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	62 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	42 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.25 V
Qg - Gate-Ladung:	99 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	390 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	DM6
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	6 g

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Datenblatt

STWA70N60DM6 Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

MDmesh™ DM6 600-V-Super-Junction-MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh™ DM6 600V-Super-Junction-MOSFETs sind für ZVS-, Vollbrücken- und Halbbrücken-Topologien optimiert. Mit einer Durchlassspannung von 600 V kombinieren die MDmesh DM6 Leistungs-MOSFETs ein optimiertes Kapazitätsprofil mit Lebensdauertotzeitverfahren. Die MDmesh DM6 MOSFETs bieten eine niedrige Gate-Ladung (Q_g), sehr niedrige Freilaufladung (Q_rr), langsame Recoveryzeit (t_rr) und einen hervorragenden-R_DS(on) pro Bereich.