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CSD17318Q2

Name: Texas Instruments CSD17318Q2
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17318Q2
Price: 0.53 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17318Q2

Herst.- Nr.:

CSD17318Q2

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2T

Datenblatt:

CSD17318Q2 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,533	€ 0,53
	€ 0,331	€ 3,31
	€ 0,212	€ 21,20
	€ 0,16	€ 80,00
	€ 0,141	€ 141,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,122	€ 366,00
	€ 0,109	€ 654,00
	€ 0,097	€ 873,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD17318Q2T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 1,44

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD17318Q2T

Beschreibung:

MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17318Q2

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WSON-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	25 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	16.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	600 mV
Qg - Gate-Ladung:	6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	16 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	42 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	16 ns
Serie:	CSD17318Q2
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	13 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns
Gewicht pro Stück:	5,500 mg

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Datenblatt

CSD17318Q2 Datenblatt

Models

CSD17318Q2 Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

Technical Resources

CSD17318Q2 TINA-TI Reference Design

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

TI N-Channel 8-23-12

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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