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CSD17505Q5A

Name: Texas Instruments CSD17505Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17505Q5A
Price: 2.06 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17505Q5A

Herst.- Nr.:

CSD17505Q5A

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD175 A 595-CSD17581Q5A

Datenblatt:

CSD17505Q5A Datenblatt

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	€ 1,32	€ 13,20
	€ 0,903	€ 90,30
	€ 0,72	€ 360,00
	€ 0,685	€ 685,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,658	€ 1.645,00

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CSD17581Q5A

Beschreibung:

MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q5AT

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSONP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.3 V
Qg - Gate-Ladung:	10 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	3.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	6.1 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	11.5 ns
Serie:	CSD17505Q5A
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	330 mg

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TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

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