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CSD17507Q5A

Name: Texas Instruments CSD17507Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17507Q5A
Price: 1.12 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17507Q5A

Herst.- Nr.:

CSD17507Q5A

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30V NChannel Hi Side NexFET Pwr MOSFET A A 595-CSD17579Q5A

Datenblatt:

CSD17507Q5A Datenblatt

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,12	€ 1,12
	€ 0,697	€ 6,97
	€ 0,462	€ 46,20
	€ 0,363	€ 181,50
	€ 0,328	€ 328,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,293	€ 732,50
	€ 0,286	€ 1.430,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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CSD17579Q5A

Beschreibung:

MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD17579Q5AT

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSONP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	16.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.6 V
Qg - Gate-Ladung:	2.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	3 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	TW
Ursprungsland:	CN
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	16 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	CSD17507Q5A
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	83,700 mg

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CNHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

TI N-Channel 8-23-12

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

CSD17507Q5A 30-V-n-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET

Der Texas Instruments CSD17507Q5A 30-V-n-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET ist zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Das Bauteil verfügt über einen extrem niedrigen Q_g und Q_gd, einen niedrigen thermischen Widerstand und ist Avalanche-eingestuft. Der CSD17507Q5A von Texas Instruments eignet sich hervorragend für synchrone Punktlast-Abwärtswandler in Netzwerk-, Telekommunikations- und Computersystemen und ist für Steuerungs-FET-Applikationen optimiert.

CSD17507Q5A NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments CSD17507Q5A N-channel NexFET™ power MOSFETs are 30V devices deisgned to minimize losses in power conversion applications. TI CSD17507Q5A NexFET power MOSFETs feature low thermal resistance as well as ultralow gate charge totla (Qg) and gate charge gate to drain (Qgd). The TI CSD17507Q5A has a 1.6V threshold voltage. These TI NexFET power MOSFETs are optimized for control FET applications and are also ideal for point-of-load synchronous buck in networking, telecom, and computing systems.