Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

CSD23203W

Name: Texas Instruments CSD23203W
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD23203W
Price: 0.61 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD23203W

Herst.- Nr.:

CSD23203W

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs CSD23203W 8 V P-chan MOSFET 6-DSBGA A 59 A 595-CSD23203WT

Datenblatt:

CSD23203W Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Texas Instruments CSD23203W

Auf Lager: 6 424

Lagerbestand:: 6 424 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 6 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,611	€ 0,61
	€ 0,373	€ 3,73
	€ 0,246	€ 24,60
	€ 0,194	€ 97,00
	€ 0,165	€ 165,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,133	€ 399,00
	€ 0,132	€ 792,00
	€ 0,125	€ 1 125,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD23203WT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 1,44

Min:

Ähnliches Produkt

Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD23203WT

Beschreibung:

MOSFETs CSD23203W 8V P-Ch Ne xFET Power MOSFET A A 595-CSD23203W

Mit dem aktuellen Teil vergleichen

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSBGA-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	8 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	53 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.1 V
Qg - Gate-Ladung:	6.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	750 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	27 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	14 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	12 ns
Serie:	CSD23203W
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	58 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns
Gewicht pro Stück:	1,400 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

CSD23203W Datenblatt

Images

Mechanical Outline Drawing

PCN

SPICE Models

CSD23203W PSpice Model (Rev. B)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8542399000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854239099
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8542399901
ECCN:: EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen