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CSD25402Q3A

Name: Texas Instruments CSD25402Q3A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25402Q3A
Price: 1.07 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD25402Q3A

Herst.- Nr.:

CSD25402Q3A

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs P-CH Pwr MOSFET

Datenblatt:

CSD25402Q3A Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,07	€ 1,07
	€ 0,671	€ 6,71
	€ 0,443	€ 44,30
	€ 0,344	€ 172,00
	€ 0,313	€ 313,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 0,278	€ 695,00
	€ 0,267	€ 1.335,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD25402Q3AT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 1,45

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSONP-8
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	76 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	650 mV
Qg - Gate-Ladung:	7.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Pd - Verlustleistung:	69 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	12 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7 ns
Serie:	CSD25402Q3A
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Gewicht pro Stück:	27,800 mg

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ECCN:: EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

CSD25402Q3A NexFET™ Leistungs-MOSFET

Der CSD25402Q3A NexFET™ Leistungs-MOSFET von Texas Instruments ist ein 20 V p-Kanal MOSFET, der zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungs-Lastmanagement-Applikationen ausgelegt ist. Der CSD25402Q3A von Texas Instruments wird in einem 3,3 mm × 3,3 mm großen SON-Gehäuse geliefert, das für seine Größe eine hervorragende thermische Leistung bietet. Typische Applikationen sind DC/DC-Wandler, Batteriemanagement, Lastschalter und Batterieschutz.