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CSD75207W15

Name: Texas Instruments CSD75207W15
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD75207W15
Price: 0.85 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD75207W15

Herst.- Nr.:

CSD75207W15

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs Dual P-CH NexFET Pwr MOSFET

Datenblatt:

CSD75207W15 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,851	€ 0,85
	€ 0,531	€ 5,31
	€ 0,347	€ 34,70
	€ 0,267	€ 133,50
	€ 0,242	€ 242,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,209	€ 627,00
	€ 0,187	€ 1.122,00
	€ 0,185	€ 1.665,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSBGA-9
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	54 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	600 mV
Qg - Gate-Ladung:	2.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	700 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	16 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	6.2 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8.6 ns
Serie:	CSD75207W15
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	32.1 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12.8 ns
Gewicht pro Stück:	2,500 mg

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Datenblatt

CSD75207W15 Datenblatt

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Models

CSD75207W15 Symbol & Footprint by SnapMagic

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TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
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MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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