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ESDS311DYFR

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-ESDS311DYFR

Herst.- Nr.:

ESDS311DYFR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

ESD Protection Diodes / TVS Diodes 1-CH UNI-DIRECTIONAL DEVICE FOR 3.3 V

Datenblatt:

ESDS311DYFR Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden
Lieferbeschränkung:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Polung:	Unidirectional
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Arbeitsspannung:	3.6 V
Montage:	SMD/SMT
Klemmspannung:	7.7 V
Überschlagsspannung:	4.5 V
Verpackung/Gehäuse:	SOD-323-2
Ipp - Spitzen-Impulsstrom:	25 A
Cd - Diodenkapazität:	4.5 pF
Vesd - Spannung ESD-Kontakt:	30 kV
Vesd - Spannung ESD-Luftspalt:	30 kV
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	ESDS311
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	CN
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt:	ESD Suppressors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes

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Datenblatt

ESDS311DYFR Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2025-4-28 (PDF)

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TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

ESDS312/ESDS314 TVS-ESD-Schutz-Diodenarrays

Die ESDS312/ESDS314 TVS-ESD-Schutz-Diodenarrays von Texas Instruments sind für einen Ethernet-, USB- und Universal-Datenleitungs-Überspannungschutz von bis zu 25 A (8/20 µs) ausgelegt. Die ESDS312, ESDS314 Bauteile sind unidirektional und gemäß des internationalen Standards IEC 61000-4-2 (Stufe 4) zum Schutz vor ESD-Stößen eingestuft. Die Bauelemente verfügen über eine IO-Kapazität von 4,5 pF pro Kanal. Daher eignen sie sich ideal für den Schutz von Hochgeschwindigkeits-Schnittstellen wie z. B. Ethernet 10/100/1000, USB 2.0 und GPIO. Der niedrige dynamische Widerstand und der geringe Klemmspannungspegel gewährleisten auf Systemebene einen Schutz gegen transiente Vorgänge.