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INA848ID

Name: Texas Instruments INA848ID
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-INA848ID
Price: 17.11 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-INA848ID

Herst.- Nr.:

INA848ID

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Instrumentenverstärker Ultra-low-noise hig h-bandwidth instrume A 595-INA848IDR

Datenblatt:

INA848ID Datenblatt

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	€ 13,63	€ 136,30
	€ 12,02	€ 300,50
	€ 11,63	€ 872,25
	€ 11,31	€ 3 393,00
	€ 11,09	€ 5 822,25
	€ 11,03	€ 11 581,50
2 550	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Instrumentenverstärker
RoHS:
Serie:	INA848
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
3dB Bandbreite:	2.8 MHz
Anstiegsrate (SR):	45 V/us
CMRR - Gleichtaktunterdrückungsverhältnis :	132 dB
Ib - Eingangsruhestrom:	25 nA
Vos - Eingangs-Offset-Spannung:	10 uV
Versorgungsspannung - Max.:	36 V
Versorgungsspannung - Min.:	8 V
Betriebsversorgungsstrom:	6.2 mA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Verpackung:	Tube
Verstärkertyp:	High-Bandwidth
Marke:	Texas Instruments
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	DE
Ursprungsland:	MY
en - Eingangsspannungsrauschdichte:	1.3 nV/sqrt Hz
Verstärkungsfehler:	0.05 %
Verstärkung V/V:	2000 V/V
Verstärkungs-Bandbreiteprodukt (GBP):	2.8 MHz
In - Eingangsrauschen-Stromdichte:	1.85 pA
Ios - Eingangs-Offset-Strom:	2 nA
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsstrom pro Kanal:	30 mA
Produkt:	Instrumentation Amplifiers
Produkt-Typ:	Instrumentation Amplifiers
PSRR - Versorgungsspannungsunterdrückungsverhältnis:	150 dB
Abschaltung:	No Shutdown
Verpackung ab Werk:	75
Unterkategorie:	Amplifier ICs

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CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

INA848 Instrumentenverstärker mit fester Gain

Der Texas Instruments INA848 Instrumentenverstärker mit fester Gain ist für hochpräzise Messungen, wie z. B. sehr kleine, schnelle, differentielle Eingangssignale optimiert. Die Super-Beta-Topologie von TI bietet einen sehr niedrigen Eingangsruhestrom und Stromrauschen. Die gut abgestimmten Transistoren tragen zu einem sehr niedrigen Offset und Offset-Drift bei. Die Anpassung der internen Widerstände ergibt ein hohes Gleichtaktunterdrückungsverhältnis von 132 dB über den gesamten Eingangsspannungsbereich und einen sehr niedrigen Gain-Drift-Fehler von 5 ppm/°C (max.).