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LM2105DR

Name: Texas Instruments LM2105DR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LM2105DR
Price: 0.78 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LM2105DR

Herst.- Nr.:

LM2105DR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 107-V 0.5-A/0.8-A ha lf-bridge gate driv

Datenblatt:

LM2105DR Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,783	€ 0,78
	€ 0,563	€ 5,63
	€ 0,508	€ 12,70
	€ 0,447	€ 44,70
	€ 0,418	€ 104,50
	€ 0,40	€ 200,00
	€ 0,385	€ 385,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,367	€ 1 101,00
	€ 0,354	€ 2 124,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Versorgungsspannung - Min.:	5 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Anstiegszeit:	28 ns
Abfallzeit:	18 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LM2105
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	US
Ursprungsland:	MY
Logiktyp:	CMOS, TTL
Betriebsversorgungsstrom:	560 uA
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Datenblatt

LM2105DR Datenblatt

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LM2105 Halbbrücken-Gate-Treiber

Der LM2105 Halbbrücken-Gate-Treiber von Texas Instruments ist ein kompakter Hochspannungs-Gate-Treiber, der für die Ansteuerung von High-Side- und Low-Side-n-Kanal-MOSFETs in einer synchronen Abwärts- oder Halbbrücken-Konfiguration ausgelegt ist. Die integrierte Bootstrap-Diode spart Platz auf dem Board und reduziert die Systemkosten, da keine externe diskrete Diode erforderlich ist.