LM74801MDRRR

Texas Instruments
595-LM74801MDRRR
LM74801MDRRR

Herst.:

Beschreibung:
Spezialisiertes Energiemanagement - PMIC 3-V to 65-V back-to- back NFET ideal dio

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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
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Gurtabschnitt / MouseReel™
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€ 3,21 € 32,10
€ 2,96 € 74,00
€ 2,68 € 268,00
€ 2,55 € 637,50
€ 2,39 € 1.195,00
€ 2,02 € 2.020,00
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Texas Instruments
Produktkategorie: Spezialisiertes Energiemanagement - PMIC
RoHS:  
LM7480
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: Power Management Specialized - PMIC
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8542399000
CAHTS:
8542310000
USHTS:
8542310030
ECCN:
EAR99

LM7480x-Q1 Ideal-Dioden-Controller

Der Texas Instruments LM7480x-Q1 Ideal-Dioden-Controller steuert und steuert externe Back-to-Back-N-Kanal-MOSFETs an, um einen Ideal-Diodengleichrichter mit Leistungspfad-Ein-/Aus-Steuerung und Überspannungsschutz zu emulieren. Die breite Eingangsversorgung von 3 V bis 65 V ermöglicht den Schutz und die Steuerung von batteriebetriebenen Automotive-ECUs 12 V und 24 V. Das Bauteil kann Lasten vor negativen Versorgungsspannungen bis zu –65 V standhalten und schützen. Ein integrierter Ideal-Diodencontroller (DGATE) steuert den ersten MOSFET an, der eine Schottky-Diode für den Eingangsverpolungsschutz und die Überbrückung der Ausgangsspannung ersetzt. Mit einem zweiten MOSFET im Leistungspfad ermöglicht das Bauteil eine Lasttrennung (EIN/AUS-Steuerung) und einen Überspannungsschutz mit der HGATE-Steuerung. Das Bauteil verfügt über eine einstellbare Überspannungsschutzfunktion. Der LM7480x-Q1 Controller von Texas Instruments kann die externen MOSFETs in Common-Drain- und Common-Source Konfigurationen ansteuern. Mit der Common-Drain-Konfiguration der Leistungs-MOSFETs kann der Mittelpunkt für O-Ring-Designs mit einer anderen Ideal-Diode genutzt werden. Der LM7480x-Q1 verfügt über eine maximale Nennspannung von 65 V. Die Lasten können durch die Konfiguration des Bauteils mit externen MOSFETs in einer gemeinsamen Quellentopologie vor erweiterten Überspannungstransienten, wie z. B. 200 V ununterdrückten Lastabwürfen in 24 V-Batteriesystemen geschützt werden.