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LMG3410R150RWHR

Name: Texas Instruments LMG3410R150RWHR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3410R150RWHR
Price: 7.87 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG3410R150RWHR

Herst.- Nr.:

LMG3410R150RWHR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHT

Datenblatt:

LMG3410R150RWHR Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 7,87	€ 7,87
	€ 6,12	€ 61,20
	€ 5,69	€ 142,25
	€ 5,21	€ 521,00
	€ 4,98	€ 1.245,00
	€ 4,84	€ 2.420,00
	€ 4,73	€ 4.730,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	€ 4,63	€ 9.260,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

LMG3410R150RWHT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

€ 10,54

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

LMG3410R150RWHT

Beschreibung:

Gate-Treiber 600-V 150-m? GaN wit h integrated driver A 595-LMG3410R150RWHR

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
REACH - SVHC:
Produkt:	MOSFET Gate Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VQFN-32
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	12 A
Versorgungsspannung - Min.:	9.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Konfiguration:	Non-Inverting
Anstiegszeit:	2.9 ns
Abfallzeit:	26 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LMG3410R150
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Entwicklungs-Kit:	LMG3410EVM-031
Kenndaten und Eigenschaften:	Integrated Gate Driver, Robust Protection
Logiktyp:	CMOS
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	9 mA
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	150 mOhms
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN
Handelsname:	GaN

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Datenblatt

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Application Notes

Wide-bandgap semiconductors: Performance and benefits of GaN versus SiC

PCN

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

LMG341xR150 GaN-FET

Der LMG341xR150 GaN FET mit integriertem Treiber und Schutzfunktionen von Texas Instruments bietet Designern neue Wege zur Erreichung der Leistungsdichte und des Wirkungsgrads in Leistungselektronik-Systemen. Der LMG341xR150 GaN FET zeichnet sich durch eine extrem niedrige Eingangs- und Ausgangskapazität, eine Sperrverzögerung von Null zur Reduzierung von Schaltverlusten um bis zu 80 % und ein niedriges Schalterknoten-Überschwingen zur Reduzierung von EMI aus. Die Funktionen ermöglichen dichte und effiziente Topologien wie den Totem-Pole-PFC.