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LMG3411R050RWHT

Name: Texas Instruments LMG3411R050RWHT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG3411R050RWHT
Price: 26.78 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG3411R050RWHT

Herst.- Nr.:

LMG3411R050RWHT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHR

Datenblatt:

LMG3411R050RWHT Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 26,78	€ 26,78
	€ 21,68	€ 216,80
	€ 20,40	€ 510,00
	€ 19,00	€ 1 900,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	€ 18,33	€ 4 582,50
	€ 17,93	€ 8 965,00
1 000	Kostenvoranschlag

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
REACH - SVHC:
Produkt:	MOSFET Gate Drivers
Typ:	Half-Bridge
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VQFN-32
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	12 A
Versorgungsspannung - Min.:	9.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	18 V
Konfiguration:	Non-Inverting
Anstiegszeit:	2.9 ns
Abfallzeit:	26 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LMG3411R050
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	8.9 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	5.2 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	23 mA
Ausgangsspannung:	5 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	57 mOhms
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN
Handelsname:	GaN
Gewicht pro Stück:	188,300 mg

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Application Notes

PCN

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

LMG341xR050 GaN-Leistungsstufe

Die Texas Instruments LMG341xR050 GaN-Leistungsstufe mit integriertem Treiber und Schutzfunktionen bietet Designern neue Wege zur Erreichung der Leistungsdichte und des Wirkungsgrads in Leistungselektronik-Systemen. Die inhärenten Vorteile des LMG341x gegenüber Silizium-MOSFETs umfassen eine extrem niedrige Eingangs- und Ausgangskapazität, eine Sperrverzögerung von Null zur Reduzierung von Schaltverlusten um bis zu 80 % und ein niedriges Schalterknoten-Überschwingen zur Reduzierung von EMI. Diese Vorteile ermöglichen dichte und effiziente Topologien, wie z. B. Totem-Pole-PFCs.