LMG3522R050RQST

LMG3522R050 650 V GaN-FET

Texas Instrument LMG3522R050 650 V GaN-FET mit integriertem Treiber und Schutz zielt auf Schaltnetzteil-Leistungswandler ab und ermöglicht Entwicklern das Erreichen neuer Leistungsdichte- und Effizienzniveaus. Der LMG3522R050 integriert einen Siliziumtreiber, der Schaltgeschwindigkeiten bis zu 150 Vns ermöglicht. TI bietet eine integrierte Präzisions-Gate-Vorspannung, die im Vergleich zu diskreten Silizium-Gate-Treibern zu einem höheren Schalt-SOA führt. Diese Integration sorgt in Kombination mit dem Niedriginduktivitätspaket von TI für minimales Klingeln und sauberes Schalten in hart schaltenden Stromversorgungstopologien. Die einstellbare Gate-Antriebsstärke ermöglicht die Steuerung der Anstiegsgeschwindigkeit von 15 V/ns bis 150 V/ns. Diese Steuerung kann zur aktiven Steuerung von EMI und zur Optimierung der Schaltleistung verwendet werden.