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UCC21330BDR

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-UCC21330BDR

Herst.- Nr.:

UCC21330BDR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate Drivers 3kVRMS 4A/6A two-cha nnel isolated gate

Datenblatt:

UCC21330BDR Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
Lieferbeschränkung:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Produkt:	Isolated Gate Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Ausgangsstrom:	4 A, 6 A
Versorgungsspannung - Min.:	3 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Anstiegszeit:	8 ns
Abfallzeit:	8 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	UCC21330
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	US
Ursprungsland:	MY
Logiktyp:	CMOS, TTL
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	4.2 mA
Ausgangsspannung:	9.2 V to 25 V
Pd - Verlustleistung:	950 mW
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	45 ns
Abschaltung:	No Shutdown
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si

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Datenblatt

UCC21330BDR Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

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CNHTS:: 8542391090
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

UCC21330/UCC21330-Q1 Isolierter Gate-Treiber

Der isolierte Zweikanal-Gate-Treiber UCC21330/UCC21330-Q1 von Texas Instruments ist ein isolierter Zweikanal-Gate-Treiber mit programmierbarer Totzeit und einem breiten Temperaturbereich. Er wurde mit einem Quellspitzenstrom von 4 A und einem Senkenspitzenstrom von 6 A für den Antrieb von Leistungs-MOSFET-, SiC-, GaN- und IGBT-Transistoren entwickelt. Der UCC21330 kann als zwei Low-Side-, zwei High-Side- oder als Halbbrückentreiber konfiguriert werden. Die Eingangsseite ist von den beiden Ausgangstreibern durch eine Isolationsbarriere von 5 kV_RMS isoliert und verfügt über eine Gleichtaktstörfestigkeit (CMTI) von mindestens 125 V/ns.