UCC27211ADRMR

Texas Instruments
595-UCC27211ADRMR
UCC27211ADRMR

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber 120V Boot 4A Peak Hi Freq A 595-UCC27211 A 595-UCC27211ADRMT

ECAD Model:
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Gehäuse:
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
€ 1,91 € 1,91
€ 1,42 € 14,20
€ 1,30 € 32,50
€ 1,16 € 116,00
€ 1,09 € 272,50
€ 1,06 € 530,00
€ 1,02 € 1 020,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
€ 0,972 € 2 916,00
€ 0,955 € 5 730,00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Verfügbarkeit:
Auf Lager
Preis:
€ 3,27
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1

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End-of-Life-Produkt : Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Texas Instruments
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
VSON-8
2 Driver
2 Output
4 A
8 V
17 V
7.2 ns
5.5 ns
- 40 C
+ 140 C
UCC27211A
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TH
Kenndaten und Eigenschaften: Negative Voltage Handling
Maximale Abschaltverzögerungszeit: 17 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit: 17 ns
Sperrzeit - Max.: 17 ns
Betriebsversorgungsstrom: 2.6 mA
Produkt-Typ: Gate Drivers
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Gewicht pro Stück: 24 mg
Produkte gefunden:
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8542399000
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99

UCC2721x High Frequency Drivers

Texas Instruments UCC2721x High-Frequency High-Side and Low-Side Drivers are based on the popular UCC27200 and UCC27201 MOSFET drivers but offer several significant performance improvements. Peak output pull-up and pull-down current has been increased to 4A source and 4A sink, and pull-up and pull-down resistance have been reduced to 0.9Ω. These performance enhancements allow for driving large power MOSFETs with minimized switching losses during the transition through the MOSFET's Miller Plateau.