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IRFBF30STRRPBF

Vishay / BC Components

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

594-IRFBF30STRRPBF

Herst.- Nr.:

IRFBF30STRRPBF

Herst.:

Vishay / BC Components

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 900V

Datenblatt:

IRFBF30STRRPBF Datenblatt

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Marke:	Vishay / BC Components
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	Not Available
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	IRFBF
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors

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Datenblatt

IRFBF30STRRPBF Datenblatt

Application Notes

Power MOSFET Avalanche Design Guidelines

Models

R-C Thermal Model Parameters

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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