Zum Hauptinhalt wechseln

+43 1 9043098

Teil der TTI Family of Specialists Kontaktieren Sie Mouser (Deutschland) +43 1 9043098 Feedback

Standort wählen

Auf Lager

RoHS

Login
Neuer Kunde? Hier starten
Login
Neuer Kunde? Hier starten

Bestellhistorie

Herst.	Herst.- Nr.:	Menge	Endpreis

Warenkorb ansehen

Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

SIZF4412DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors

Mouser-Nr.:

78-SIZF4412DT-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIZF4412DT-T1-GE3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFETs DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SIZF4412DT-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 2 643

Lagerbestand:: 2 643 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 8 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 2,01	€ 2,01
	€ 1,28	€ 12,80
	€ 0,886	€ 88,60
	€ 0,757	€ 378,50
	€ 0,632	€ 632,00
	€ 0,584	€ 1.752,00
	€ 0,553	€ 3.318,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Marke:	Vishay Semiconductors
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	IL
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SIZF4412DT-T1-GE3 Datenblatt (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

EMPFOHLENE PRODUKTE

VISHAY

SiJK5100E n-Kanal-MOSFET

TrenchFET^® -Gen-V-Leistungs-MOSFET mit 100 V Drain-Source-Spannung und maximaler Verlustleistung von 536 W.

SiEH4800EW 80-V-TrenchFET®-Gen-IV-n-Kanal-MOSFET

Ist in einem PowerPAK^® -BWL-Gehäuse von 8 mm x 8 mm mit einem On-Widerstand von 0,00115 Ω untergebracht.

SiJK140E 40-V-n-Kanal-(D-S)-MOSFET

Verfügt über die TrenchFET^® Gen-V-Leistungstechnologie, die sich hervorragend für die Synchrongleichrichtung und Automatisierung eignet.

Superjunction MOSFETs in PowerPAK® 10 x 12

Verfügt über Leistungstechnologie, optimiert den Wirkungsgrad und reduziert die Verlustleistung während der Leitung.

SiRS5700DP 150 V-n-Kanal-MOSFET (D-S)

TrenchFET®-Gen-V-Leistungs-MOSFET mit einer sehr niedrigen R_{DS x}Q_g -Gütezahl (FOM).