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1ED3321MC12NXUMA1

Name: Infineon 1ED3321MC12NXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-1ED3321MC12NXUMA
Price: 2.92 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-1ED3321MC12NXUMA

Herst.- Nr.:

1ED3321MC12NXUMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Gate-Treiber ISOLATED DRIVER

Datenblatt:

1ED3321MC12NXUMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 1,72	€ 430,00
	€ 1,66	€ 830,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	€ 1,60	€ 1 600,00
	€ 1,54	€ 3 080,00
	€ 1,49	€ 7 450,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Isolated Gate Drivers
Typ:	High-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSO-16
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	8.5 A
Versorgungsspannung - Min.:	2.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Konfiguration:	Inverting, Non-Inverting
Anstiegszeit:	530 ns
Abfallzeit:	370 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	Enhanced F3 family
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	ID
Land der Verbreitung:	DE
Ursprungsland:	DE
Logiktyp:	CMOS
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	92 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	84 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	1.1 mA
Ausgangsspannung:	35 V
Pd - Verlustleistung:	810 mW
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verzögerungszeit - Max.:	15 ns
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.35 Ohms
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Handelsname:	EiceDRIVER
Artikel # Aliases:	1ED3321MC12N SP005433357

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Datenblatt

1ED3321MC12NXUMA1 Datenblatt (PDF)

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USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

EiceDRIVER™ erweiterte F3-Produktfamilie

Die Infineon Technologies EiceDRIVER™ erweiterte F3-Produktfamilie (1ED332x) besteht aus isolierten Einkanal-Treibern von 8,5 A in einem 300-mil-DSO-16-Gehäuse. Die 1ED332xMC12N-Produktfamilie bietet Funktionen, die auf die Bedürfnisse des Marktes zugeschnitten sind, darunter Sanft- und Hart-Fehlerabschaltungen, IGBT- und SiC-Unterspannungssperreinstellungen (UVLO), zwei verschiedene Ausgangsstromstärken und zwei verschiedene Ausgangskonfigurationen. Diese F3-Produktfamilie ist eine hervorragende Lösung für den Kurzschlussschutz von SiC-MOSFETs.

2-Kanal-MOSFET-Treiber-ICs

Die 2-Kanal-MOSFET-Treiber-ICs von Infineon sind ein wesentliches Bindeglied zwischen Steuer-ICs und leistungsstarken MOSFET- und GaN-Schaltern. Die MOSFET-Treiber-ICs ermöglichen eine hohe Effizienz auf Systemebene, bieten eine exzellente Leistungsdichte und eine dauerhafte Systemrobustheit.
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EiceDRIVER™ Verbesserte isolierte Gate-Treiber-ICs

Die EiceDRIVER™ verbesserten isolierten Gate-Treiber-ICs von Infineon Technologies bieten Schutzfunktionen, wie z. B. DESAT, Miller-Klemme, sanftes Ausschalten für MOSFETs, IGBTs und SiC-MOSFETs. Diese isolierten Treiber basieren auf unserer Transformator-Technologie (CT) ohne Core und ermöglichen eine erstklassige Gleichtakt-Transientenimmunität (CMTI) von 300 kV/μs. Die Miller-Klemme und die genaue Kurzschluss-Sicherung (DESAT) ermöglichen eine überlegene Applikationssicherheit, indem ein parasitäres Einschalten und eine Kurzschluss-Sicherung bei der Ansteuerung von CoolSiC™-SiC-MOSFETs und TRENCHSTOP™-IGBT7 umgangen werden. Die isolierten EiceDRIVER™ Treiber bieten Antriebsfunktionen bis zu 9 A, wodurch Booster-Lösungen überflüssig werden. Diese Einkanal- und Zweikanal-gate-Treiber-ICs sind als analoge X3-Produktfamilie (1ED34xx) und gate-Treiber-ICs der X3-Produktfamilie verfügbar. Die 1ED34xx und 1ED38xx gate-Treiber-ICs bieten einen Ausgangsstrom von 9 A und eine_maximale Ausgangsspannung von 40 V in einem platzsparenden breiten DS0-16-Gehäuse mit feinem Rastermaß und einer Kriechstrecke von 8 mm. Diese ICs verfügen über eine Kurzschluss-Klemmung und eine aktive Abschaltung und bieten die höchste Isolationsfähigkeit für die 1500 V DC-Solarwechselrichter-Applikation.

EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs

Infineon EiceDRIVER™ Gate-Treiber-ICs sind für MOSFETs, IGBTs, SiC-MOSFETs und GaN-HEMTs-Bauteile ausgelegt. EiceDRIVER™ Gate-Treiber bieten eine große Auswahl von typischen Ausgangsstromoptionen von 0,1 μA bis 10 μA. Diese Bauteile verfügen über robuste Gate-Treiber-Schutzfunktionen, wie z. B. schnelle Kurzschluss-Sicherung (DESAT), aktive Miller-Klemme, Durchzündungsschutz, Fehler-, Abschalt- und Überstromschutz. Diese Funktionen machen diese Treiber-ICs ideal für Silizium- und Breitbandlücken-Leistungsbauteile, einschließlich CoolGaN™ und CoolSiC™. Aus diesem Grund bietet der Infineon mehr als 500 EiceDRIVER™ Gate-Treiber-IC-Lösungen, die sich für jeden Leistungsschalter und jede Applikation eignen.

EiceDRIVER™ Einkanal-MOSFET-Gate-Treiber-ICs

Infineon Technologies EiceDRIVER™ Einkanal-MOSFET-Gate-Treiber-ICs sind ein wesentliches Bindeglied zwischen Steuerungs-ICs und leistungsstarken MOSFET- und GaN-Schaltern. Diese Gate-Treiber-ICs ermöglichen einen hohen Wirkungsgrad auf Systemebene, bieten eine ausgezeichnete Leistungsdichte und eine dauerhafte Systemrobustheit.

Isolierte Gate-Treiber

Infineon Isolierte Gate-Treiber verwenden eine magnetisch gekoppelte kernlose Transformator-Technologie (CT) zur Übertragung von Signalen über die galvanische Trennung. Diese Treiber bieten funktionale grundlegende, verstärkte isolierte, UL 1577- und VDE 0884-zertifizierte Produkte. Die Isolierung ermöglicht sehr große Spannungsschwankungen (z.B. ±1.200 V). Diese isolierten Treiber enthalten die wichtigsten Merkmale und Parameter für MOSFET-, IGBT-, IGBT-Module, SiC-MOSFET- und GaN-HEMT-Antrieb.

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.