AFGHL25T120RW

Name: onsemi AFGHL25T120RW
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGHL25T120RW
Price: 6.77 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-AFGHL25T120RW

Herst.- Nr.:

AFGHL25T120RW

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs FS7 1200V 25A SCR IGBT STAND-ALONE TO247 3L

Lebenszyklus:

Neu bei Mouser

Datenblatt:

AFGHL25T120RW Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi AFGHL25T120RW

Auf Lager: 418

Lagerbestand:: 418 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 17 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 6,77	€ 6,77
	€ 4,61	€ 46,10
	€ 3,30	€ 396,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.38 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	50 A
Pd - Verlustleistung:	468 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	AFGHL25T120RW
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Kollektorgleichstrom Ic max.:	25 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Kriechstrom Gate-Emitter:	400 nA
Produkt-Typ:	IGBTs
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

AFGHL25T120RW Datenblatt

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

AFGHxL25T n-Einkanal-1.200-V-25-A-IGBTs

Die isolierten n-Einkanal-1.200-V-25-A-Bipolartransistoren mit isolierter Gate-Elektrode (IGBTs) AFGHxL25T von onsemi zeichnen sich durch eine robuste und kostengünstige Field-Stop-VII-Trench-Bauweise aus. Der AFGHxL25T von onsemi bietet eine hervorragende Leistung in anspruchsvollen Schaltapplikationen. Die niedrige Durchlassspannung und minimale Schaltverluste bieten eine optimale Leistung für hart- und weichschaltende Topologien in Fahrzeuganwendungen.