Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

BUK9K52-60RAX

Name: Nexperia BUK9K52-60RAX
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK9K52-60RAX
Price: 1.18 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BUK9K52-60RAX

Herst.- Nr.:

BUK9K52-60RAX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT1205 2NCH 60V 16A

Datenblatt:

BUK9K52-60RAX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Nexperia BUK9K52-60RAX

Auf Lager: 16

Lagerbestand:: 16 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 53 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 1,18	€ 1,18
	€ 0,937	€ 9,37
	€ 0,64	€ 64,00
	€ 0,556	€ 278,00
	€ 0,495	€ 495,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	€ 0,286	€ 429,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-56D-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	16 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	55 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.1 V
Qg - Gate-Ladung:	5.6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	32 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	9 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	10.1 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	10.7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6.2 ns
Artikel # Aliases:	934662538115

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

ASFETs für periodische Avalanche-Festigkeit

Nexperia ASFETs für die periodische Avalanche-Festigkeit bieten eine maximale Drain-Quellenspannung von 40 V_DS bis 60 V_DS, einen Drainstrombereich von 16 I_D bis 40 I_D und eine Gate-Drain-Ladung von 7,9 Q_GD. ASFETs sind gemäß AEC-Q101 vollständig für den Automotive-Bereich qualifiziert und bieten eine hohe Robustheit, Zuverlässigkeit sowie ein LFPAK-Gehäuse mit Kupfer-Clip-Technologie. Die ASFETs für periodische Avalanche-Festigkeit von Nexperia eignen sich hervorragend für Automotive-Systeme mit 12 V, 24 V und 48 V, periodische Avalanche-Topologien und Motorsteuerungsapplikationen.

Automotive-ASFETs

Nexperia Automotive-ASFETs sind applikationsspezifische MOSFETs, die für spezifische Applikationsfälle optimiert sind. Da Entwickler die Grenzen der Applikationsleistung verschieben, ist es immer wichtiger zu verstehen, wie der MOSFET in der Applikation verwendet wird. In der Vergangenheit würde ein Standard-Leistungsschalter mit einer vorgegebenen Gütezahl (R_{DS (on)} x Q_g) im Wesentlichen in jeder Anwendung funktionieren. Um spezifische Applikationsanforderungen oder Funktionalität zu erfüllen, ist die Optimierung eines Satzes von MOSFET-Parametern jedoch zunehmend erforderlich, um diese Anforderungen zu erfüllen. Applikationen können beispielsweise eine verbesserte Leistung im linearen Modus oder eine repetitive Avalanche-Funktionalität erfordern. Nexperia kombiniert bewährtes MOSFET-Know-how mit einem breiten Applikationsverständnis, um eine wachsende Auswahl von applikationsspezifischen MOSFETs zu erstellen.