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BUK9M11-40HX

Name: Nexperia BUK9M11-40HX
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK9M11-40HX
Price: 0.22 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BUK9M11-40HX

Herst.- Nr.:

BUK9M11-40HX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 35A

Datenblatt:

BUK9M11-40HX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-33-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	35 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	11 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	21 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	50 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	4.5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6.5 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	9.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8.3 ns
Artikel # Aliases:	934660797115
Gewicht pro Stück:	100,200 mg

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LFPAK33 Trench 9 Automotive-MOSFETs

Nexperia LFPAK33 Trench 9 Automotive-MOSFETs sind ein Portfolio von 40 V AEC-Q101-MOSFETs mit niedrigem R_DS(on) für Module in anspruchsvollen Antriebsstrang-Applikationen. Die Bauteile sind in einem Miniatur-LFPAK33-Gehäuse mit einem Footprint von nur 10,9 mm² untergebracht. Die LFPAK33 MOSFETs verwenden die Trench 9-Technologie von Nexperia. Dies führt zu einer Reduzierung des R_DS(on) von 48 % im Vergleich zu früheren Bauteilen. Diese Geräte decken eine Reihe von Applikationen von 30 W bis 300 W ab. Die BUK7M3R3-40H und BUK9M3R3-40H (Standardpegel und Logikpegel) Bauteile verfügen über einen R_DS(on) von 3,3 mΩ.