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BUK9M15-40HX

Name: Nexperia BUK9M15-40HX
Brand: Nexperia
SKU: 771-BUK9M15-40HX
Price: 0.86 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-BUK9M15-40HX

Herst.- Nr.:

BUK9M15-40HX

Herst.:

Nexperia

Beschreibung:

MOSFETs SOT1210 N-CH 40V 30A

Datenblatt:

BUK9M15-40HX Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+€ 5,00)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 0,869	€ 0,87
	€ 0,539	€ 5,39
	€ 0,349	€ 34,90
	€ 0,297	€ 148,50
	€ 0,223	€ 223,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	€ 0,195	€ 292,50

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Nexperia
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	LFPAK-33-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	15 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.5 V
Qg - Gate-Ladung:	16.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	44 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Nexperia
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	4.1 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.9 ns
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	8.1 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7.3 ns
Artikel # Aliases:	934660798115
Gewicht pro Stück:	100,200 mg

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