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C3M0060065K

Name: Wolfspeed C3M0060065K
Brand: Wolfspeed
SKU: 941-C3M0060065K
Price: 7.91 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

941-C3M0060065K

Herst.- Nr.:

C3M0060065K

Herst.:

Wolfspeed

Beschreibung:

SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial

Datenblatt:

C3M0060065K Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 5,46	€ 54,60
	€ 4,60	€ 552,00
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Wolfspeed
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	37 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	60 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.6 V
Qg - Gate-Ladung:	46 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	150 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Wolfspeed
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	10 S
Verpackung:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	11 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns

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PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Wolfspeed 650-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs bieten niedrige Durchlasswiderstände und Schaltverluste für einen maximalen Wirkungsgrad und eine maximale Leistungsdichte. Die 650-V-MOSFETs sind für leistungsstarke Leistungselektronik-Applikationen optimiert, einschließlich Server-Netzteile, Ladesysteme für Elektrofahrzeuge, Energiespeichersysteme, Solarwechselrichter (PV), unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Batteriemanagementsysteme. Im Vergleich zu Silizium, ermöglichen die 650-V-Siliziumkarbid-MOSFETs von Wolfspeed ermöglichen niedrigere Schaltverluste von 75 %, ½ der Leitungsverluste und eine dreifach höhere Leistungsdichte.

SiC-C3M-MOSFETs

Die SiC-C3M-MOSFETs von Cree ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und reduziere Bauteilgrößen von Induktoren, Kondensatoren, Filtern und Transformatoren. Die SiC-C3M-MOSFETs verfügen über eine höhere Systemeffizienz und einen reduzierten Kühlbedarf. Die MOSFETs erhöhen auch die Leistungsdichte und Systemschaltfrequenz.
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