C3M0160120K1

Wolfspeed
941-C3M0160120K1
C3M0160120K1

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial

Datenblatt:
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.
Mehr über
Weitere Informationen zu Wolfspeed C3M0160120K1

Auf Lager: 384

Lagerbestand:
384 sofort lieferbar
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
€ -,--
Erw. Preis:
€ -,--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
€ 6,28 € 6,28
€ 3,62 € 36,20
€ 3,03 € 363,60
€ 2,72 € 1.387,20

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Wolfspeed
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-4LP
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
17.9 A
280 mOhms
- 4 V, + 15 V
3.8 V
32 nC
- 40 C
+ 175 C
103 W
Enhancement
Marke: Wolfspeed
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Abfallzeit: 12 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 4.6 S
Produkt: MOSFETs
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 9 ns
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Technologie: SiC
Transistorart: 1 N-Channel
Typ: Silicon Carbide Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit: 13 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 8 ns
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

PCN

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TO-247-4 1.200-V-SiC-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Profil

Wolfspeed TO-247-4 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Profil verfügen über eine Hochgeschwindigkeitsschaltung mit niedrigen Kapazitäten und eine hohe Sperrspannung mit niedrigem On-Widerstand. Diese Leistungs-MOSFETs reduzieren Schaltverluste und Kühlanforderungen und minimieren das Gate-Schwingen. Die 1.200-V-SiC-Leistungs-MOSFETs enthalten eine schnelle intrinsische Diode mit niedriger Sperrverzögerung (Qrr). Diese Leistungs-MOSFETs erhöhen die Leistungsdichte und Systemschaltfrequenz. Die 1.200-V-SiC-Leistungs-MOSFETs sind in optimierten Gehäusen mit separaten Treiberquellen-Pins verfügbar und in einem TO-247-4-Gehäuse mit niedrigem Profil verfügbar. Diese Leistungs-MOSFETs sind halogenfrei und RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Motorsteuerung, EV-Akkuladegeräte, Hochspannungs-DC/DC-Wandler, Solar/ESS, USV und Unternehmens-PSU.

1.200-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Wolfspeed 1.200-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs setzen den Standard für Leistung, Robustheit und einfaches Design. Die MOSFETs von Wolfspeed verfügen über ein schnelles Schalten und geringe Schaltverluste und gewährleisten eine deutliche Verbesserung des Systemwirkungsgrads, der Leistungsdichte und der Gesamtkosten der BOM im Vergleich zu Silizium-MOSFETs und etabliertem IGBT.

1.200-V-Siliziumkarbid-MOSFETs und -Dioden

Wolfspeed 1.200-V-Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs und -Dioden bieten eine leistungsstarke Kombination von einem höheren Wirkungsgrad in anspruchsvollen Applikationen. Diese MOSFETs und Schottky-Dioden sind für den Einsatz in Hochleistungsapplikationen ausgelegt. Die 1.200-V-SiC-MOSFETs verfügen über einen stabilen Rds(on) -Übertemperatur- und Avalanche-Robustheit. Diese MOSFETs sind robuste Body-Dioden, die keine externen Dioden erfordern und einfacher anzusteuern sind, da sie einen 15-V-Gate-Drive bieten. Die 1.200-V-SiC-MOSFETs bieten einen verbesserten Wirkungsgrad auf Systemebene mit geringeren Schalt-und Leitungsverlusten und einer verbesserten Leistungsdichte auf Systemebene.

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.


Haben Sie eine Frage? Bitte besuchen Sie das Hilfecenter.
Bei Fragen zu einer bestimmten Bestellung melden Sie sich bitte bei Ihrem Konto an.

Sollten Sie weitere Probleme haben, kontaktieren Sie uns bitte unter 800-346-6873 oder senden Sie eine E-Mail an help@mouser.com.