CDF56G6511N TR13 PBFREE

Name: Central Semiconductor CDF56G6511N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDF56G6511NTR13P
Price: 4.22 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

610-CDF56G6511NTR13P

Herst.- Nr.:

CDF56G6511N TR13 PBFREE

Herst.:

Central Semiconductor

Beschreibung:

GaN FETs 650V, 11A, N-Channel GaN FET

Datenblatt:

CDF56G6511N TR13 PBFREE Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 2,30	€ 1 150,00
	€ 2,18	€ 2 180,00
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	€ 1,96	€ 4 900,00

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Hersteller:	Central Semiconductor
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	11.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	190 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 1.4 V, + 7 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	2.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	84 W
Kanalmodus:	Depletion
Marke:	Central Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	4 ns
Maximale Betriebsfrequenz:	100 kHz
Mindestbetriebsfrequenz:	0 Hz
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	4 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Regelabschaltverzögerungszeit:	1.7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	1.4 ns

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Datenblatt

CDF56G6511N TR13 PBFREE Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low R_DS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.