CDFG6558N TR13 PBFREE

Name: Central Semiconductor CDFG6558N TR13 PBFREE
Brand: Central Semiconductor
SKU: 610-CDFG6558NTR13PBF
Price: 9.34 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

610-CDFG6558NTR13PBF

Herst.- Nr.:

CDFG6558N TR13 PBFREE

Herst.:

Central Semiconductor

Beschreibung:

GaN FETs 650V, 29A, N-Channel Chip, GaN FET, DFN5X6A Package, 13"

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

CDFG6558N TR13 PBFREE Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Central Semiconductor CDFG6558N TR13 PBFREE

Auf Lager: 2 470

Lagerbestand:: 2 470 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 9,34	€ 9,34
	€ 6,48	€ 64,80
	€ 5,41	€ 541,00
	€ 5,30	€ 5.300,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	€ 4,59	€ 11.475,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Central Semiconductor
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	29 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, + 7 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	6.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Kanalmodus:	Depletion
Marke:	Central Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	4 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	Field Effect Transistors
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	GaN FETs
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	Power FET
Regelabschaltverzögerungszeit:	5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

CDFG6558N TR13 PBFREE Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

GaN N-Channel FETs

Central Semiconductor GaN N-Channel FETs excel in high voltage and low R_DS(ON), making them ideal for efficient soft-switching applications. Central Semiconductor GaN FETs come in 100V (60A), 150V (60A), 650V (11A), 650V (17A), and 700V (18A) versions. The devices are available in practical surface-mount, chip-scale packages, and bare dies. Ideally, these FETs are used in switch-mode power supplies, high-power chargers, and Electric Vehicle (EV) inverters.