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DMWSH120H90SM4

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

621-DMWSH120H90SM4

Herst.- Nr.:

DMWSH120H90SM4

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

SiC MOSFETs SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS

Datenblatt:

DMWSH120H90SM4 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
Lieferbeschränkung:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
REACH - SVHC:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	97.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 15 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.5 V
Qg - Gate-Ladung:	51.1 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	235 W
Kanalmodus:	Enhancement
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	6.4 ns
Verpackung:	Tube
Produkt:	MOSFETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	21.3 ns
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	Silicon Carbide Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	17.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9.1 ns

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Datenblatt

DMWSH120H90SM4 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

DMWSH120Hx 1.200 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1.200-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind Siliziumkarbid-MOSFETs, die zur Reduzierung des Einschaltwiderstands und zur Aufrechterhaltung einer ausgezeichneten Schaltleistung ausgelegt sind. Diese MOSFETs verfügen über eine niedrige Eingangskapazität, einen Null-Gate-Spannungs-Drainstrom von bis zu 100 μA, einen Gate-Source-Ableitstrom von bis zu ±250 nA und eine hohe BV_DSS -Nennleistung für Stromapplikationen. Die DMWSH120Hx MOSFETs werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C betrieben und entsprechen der UL 94 V-0 Brennbarkeitsklasse. Diese Leistungs-MOSFETs sind ideal geeignet für den Einsatz in EV-Hochleistungs-DC/DC-Wandlern, EV-Ladesystemen, Solaranlagen-Umrichtern, AC-DC-Traktionsumrichtern und Fahrzeugmotortreibern.