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FDBL0260N100

Name: onsemi FDBL0260N100
Brand: onsemi
SKU: 512-FDBL0260N100
Price: 5.85 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

512-FDBL0260N100

Herst.- Nr.:

FDBL0260N100

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET

Datenblatt:

FDBL0260N100 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	€ 5,85	€ 5,85
	€ 3,95	€ 39,50
	€ 2,92	€ 292,00
	€ 2,91	€ 1 455,00
	€ 2,87	€ 2 870,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	€ 2,72	€ 5 440,00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-LL8-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	200 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	83 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	PowerTrench
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	19 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	170 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	34 ns
Serie:	FDBL0260N100
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	47 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	26 ns
Gewicht pro Stück:	850,050 mg

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Datenblatt

FDBL0260N100 Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs

Die n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor werden unter Verwendung von Fairchild Semiconductors fortschrittlichem PowerTrench®-Prozess produziert, der maßgeschneidert wurde, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und dennoch die erstklassige Schaltleistung aufrecht zu erhalten. Die n-Kanal-PowerTrench®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor sind in einer Auswahl von Drain-Source-Spannungs-Spezifikationen zwischen 30V und 250V verfügbar.

Der FDD10N20LZ und der FDD7N25LZ sind Leistungsfeldeffekt-Transistoren vom n-Kanal-Anreicherungstyp, die unter Verwendung von Fairchilds geschützter Planar-Streifen-DMOS-Technologie produziert werden. Diese fortschrittliche Technologie wurde maßgeschneidert, um den Durchlasswiderstand zu minimieren und eine erstklassige Schaltleistung sowie eine hohe Widerstandsfähigkeit gegen Stromstöße im Avalanche- und Kommutierungsmodus zu bieten. Diese Geräte eignen sich sehr gut für hocheffiziente Schaltnetzteile und aktive Leistungsfaktorkorrektur.

Der FDMC6296 ist ein einzelner n-Kanal-MOSFET in einem thermisch effizienten MicroFET-Gehäuse, das speziell entworfen wurde, um gut in Point-of-Load-Wandlern zu arbeiten. Dieser Baustein liefert ein optimiertes Gleichgewicht zwischen R_DS(on) und der Gate-Ladung und kann so effektiv als „Hochseiten“-Steuerschalter oder „Niedrig-Seiten“-Synchron-Gleichrichter verwendet werden.
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