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FM25V10-DG

Name: Infineon FM25V10-DG
Brand: Infineon Technologies
SKU: 727-FM25V10-DG
Price: 14.91 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

727-FM25V10-DG

Herst.- Nr.:

FM25V10-DG

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

F-RAM FRAM

Datenblatt:

FM25V10-DG Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 13,84	€ 138,40
	€ 13,40	€ 335,00
	€ 13,08	€ 654,00
	€ 12,75	€ 1 275,00
	€ 12,16	€ 3 040,00
	€ 11,62	€ 4 299,40
1 110	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	F-RAM
RoHS:
Speichergröße:	1 Mbit
Schnittstellen-Typ:	SPI
Maximale Taktfrequenz:	25 MHz, 40 MHz
Organisation:	128 k x 8
Verpackung/Gehäuse:	DFN-8
Versorgungsspannung - Min.:	2 V
Versorgungsspannung - Max.:	3.6 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Serie:	FM25V10-G
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	US
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Montageart:	SMD/SMT
Betriebsversorgungsspannung:	2 V to 3.6 V
Produkt-Typ:	FRAM
Verpackung ab Werk:	370
Unterkategorie:	Memory & Data Storage

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FM25V10-DG Datenblatt (PDF)

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CNHTS:: 8542329090
USHTS:: 8542320071
ECCN:: EAR99

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.