FM28V020-SGTR

Infineon Technologies
877-FM28V020-SGTR
FM28V020-SGTR

Herst.:

Beschreibung:
F-RAM 256K (32Kx8) 60ns F-RAM

Datenblatt:
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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
€ 13,00 € 13,00
€ 12,07 € 120,70
€ 11,70 € 292,50
€ 11,41 € 570,50
€ 11,13 € 1.113,00
€ 10,98 € 2.745,00
€ 10,71 € 5.355,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
€ 10,41 € 10.410,00
2 000 Kostenvoranschlag
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:
FM28V020-SG
Verpackung:
Tube
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Preis:
€ 12,96
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Infineon
Produktkategorie: F-RAM
RoHS:  
256 kbit
Parallel
32 k x 8
SOIC-28
60 ns
2 V
3.6 V
- 40 C
+ 85 C
FM28V020-SG
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Infineon Technologies
Land der Bestückung: TH
Land der Verbreitung: US
Ursprungsland: US
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Betriebsversorgungsspannung: 3.3 V
Produkt-Typ: FRAM
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Gewicht pro Stück: 2,215 g
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

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TARIC:
8542329000
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
JPHTS:
8542320905
KRHTS:
8542321040
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

V-Family Low-Power F-RAM

Infineon Technologies V-Family low-power F-RAM devices feature high-performance nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process. Infineon serial F-RAM performs write operations at bus speed, incurs no write delays, and is ideal for nonvolatile memory applications requiring frequent or rapid writes or low power operation. The V-Family parallel F-RAM provides data retention for over 10 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM.

Parallel F-RAM Non-Volatile Memory

Infineon Technologies Parallel F-RAM Non-Volatile Memory operates similarly to other RAM devices and can be used as a drop-in replacement for a standard SRAM in a system. These F-RAMs read and write similar to a standard SRAM. A ferroelectric random access memory or F-RAM is non-volatile, which means that data is retained after power is removed. It provides data retention for over 151 years while eliminating the reliability concerns, functional disadvantages, and system design complexities of battery-backed SRAM (BBSRAM). Fast write timing and high write endurance make the F-RAM superior to other types of memory. These features make these devices ideal for non-volatile memory applications requiring frequent or rapid writes.

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