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FP35R12N2T7BPSA2

Mouser-Nr.:

726-FP35R12N2T7BPSA2

Herst.- Nr.:

FP35R12N2T7BPSA2

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

IGBT Modules 1200 V, 35 A PIM IGBT module

Datenblatt:

FP35R12N2T7BPSA2 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	IGBT-Module
Lieferbeschränkung:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Produkt:	IGBT Silicon Modules
Konfiguration:	3-Phase Inverter
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.6 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	35 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	100 nA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Produkt-Typ:	IGBT Modules
Verpackung ab Werk:	15
Unterkategorie:	IGBTs
Technologie:	Si
Artikel # Aliases:	FP35R12N2T7 SP005597311 FP35R12N2T7BPSA1

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Datenblatt

FP35R12N2T7BPSA2 Datenblatt (PDF)

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

1200 V PIM-3-Phasen-Eingangsgleichrichter

Die 1200 V PIM-3-Phasen Eingangsgleichrichter von Infineon Technologies sind EconoPIM™ 2 1200 V, 100 A dreiphasige PIM IGBT-Module. Die Gleichrichter sind mit TRENCHSTOP™ IGBT7, emittergesteuerter 7-Diode und NTC ausgestattet. Die PIM (Power Integrated Modules) mit der Integration von Gleichrichter und Bremschopper ermöglichen Systemkosteneinsparungen.

1.200 V PIM-IGBT-Module

Infineon 1.200 V PIM-IGBT-Module bieten eine TRENCHSTOP™ IGBT7- und EC7-Dioden-Technologie, die auf der neuesten Mikromuster-Trench-Technologie basiert. Diese Technologie bietet stark reduzierte Verluste und einen hohen Grad an Steuerbarkeit. Das Zellenkonzept zeichnet sich dadurch aus, dass parallelgeschaltete Trench-Zellen, die durch Sub-Mikron-Mesas getrennt sind, im Vergleich zu früher verwendeten quadratischen Trench-Zellen implementiert werden. Der Chip ist speziell für industrielle Antriebsapplikationen und Solarenergiesysteme optimiert, was wesentlich geringere statische Verluste, eine höhere Leistungsdichte und ein weicheres Schalten bedeutet. Eine signifikante Erhöhung der Leistungsdichte kann erreicht werden, indem die zulässige Maximale Betriebstemperatur von bis zu 175°C in den 1.200 V PIM-IGBT-Modulen von Infineon erhöht wird.