Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

FS01M3R08A8MA2CHPSA1

Name: Infineon FS01M3R08A8MA2CHPSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-FS01M3R08A8MA2CH
Price: 934.08 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-FS01M3R08A8MA2CH

Herst.- Nr.:

FS01M3R08A8MA2CHPSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

Diskrete Halbleitermodule HybridPACK Drive G2 module with SiC MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

FS01M3R08A8MA2CHPSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Infineon Technologies FS01M3R08A8MA2CHPSA1

Auf Lager: 3

Lagerbestand:: 3 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 6 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 934,08	€ 934,08
	€ 824,05	€ 8 240,50

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	Diskrete Halbleitermodule
Produkt:	Module
Technologie:	SiC
Vf - Durchlassspannung:	4.56 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 5 V, + 19 V
Montageart:	Press Fit
Verpackung/Gehäuse:	HybridPACK
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tray
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	DE
Abfallzeit:	58 ns
Id - Drain-Gleichstrom:	530 A
Produkt-Typ:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	2 mOhms
Anstiegszeit:	96 ns
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Handelsname:	HybridPACK
Regelabschaltverzögerungszeit:	338 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	114 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	750 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.55 V
Artikel # Aliases:	FS01M3R08A8MA2C SP006157554

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

FS01M3R08A8MA2CHPSA1 Datenblatt (PDF)

ECCN:: EAR99

HybridPACK™ Drive G2 Module

Die HybridPACK ™ Drive G2 Module von Infineon Technologies sind kompakte Leistungsmodule für den Antrieb von Hybrid - und Elektrofahrzeugen. Die G2-Module von Infineon Technologies bieten skalierbare Leistungsniveaus unter Verwendung von Si- oder SiC-Technologien und verschiedenen Chipsätzen bei gleichbleibender Modulgröße. Die im Jahr 2017 eingeführte Modul mit Silizium-EDT2-Technologie wurde für mehr Effizienz im realen Fahrbetrieb optimiert. Im Jahr 2021 wurde eine CoolSiC™ -Version eingeführt, die eine höhere Zelldichte und bessere Leistung bietet. Im Jahr 2023 wurde die zweite Generation, HybridPACK Drive G2, mit EDT3- (Si IGBT) und CoolSiC™ G2-MOSFET-Technologien auf den Markt gebracht, die eine einfache Nutzung und Integrationsmöglichkeiten für Sensoren bietet und eine Leistung von bis zu 300 kW in den Klassen 750 V und 1.200 V ermöglicht.