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GCMX003A120S7B1

Name: SemiQ GCMX003A120S7B1
Brand: SemiQ
SKU: 148-GCMX003A120S7B1
Price: 210.39 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

148-GCMX003A120S7B1

Herst.- Nr.:

GCMX003A120S7B1

Herst.:

SemiQ

Beschreibung:

MOSFET-Module SiC 1200V 3mohm MOSFET S7 Half-Bridge Module

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

GCMX003A120S7B1 Datenblatt (PDF)

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	SemiQ
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Serie:	GCMX
Verpackung:	Bulk
Marke:	SemiQ
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules

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Datenblatt

GCMX003A120S7B1 Datenblatt (PDF)

USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-Halbbrückenmodule

Die GCMX 1.200-V-SiC-MOSFET-Halbbrückenmodule von SemiQ bieten geringe Schaltverluste, einen niedrigen thermischen Sperrschicht-zu-Gehäuse-Widerstand und eine sehr robuste und einfache Montage. Diese Module montieren den Kühlkörper direkt (isoliertes Gehäuse) und enthalten eine Kelvin-Referenz für einen stabilen Betrieb. Alle Teile wurden strengen Tests unterzogen, um Spannungen über 1.350 V zu widerstehen. Die herausragende Funktion dieser Module ist die robuste 1.200-V-Drain-Source-Spannung. Die GCMX Halbbrückenmodule werden bei einer Sperrschichttemperatur von 175°C betrieben und sind RoHS-konform. Zu den typischen Applikationen gehören Photovoltaik-Wechselrichter, Akkuladegeräte, Energiespeichersysteme und Hochspannungs-DC/DC-Wandler.