GCMX080C120S1-E1

SemiQ
148-GCMX080C120S1-E1
GCMX080C120S1-E1

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET-Module Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET Module, SOT-227

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SemiQ
Produktkategorie: MOSFET-Module
RoHS:  
MOSFET Power Module
SOT-227-4
- 55 C
+ 175 C
Screw Mount
38.1 mm
25.3 mm
12.19 mm
GCMX
Tube
Marke: SemiQ
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TW
Abfallzeit: 26 ns
Id - Drain-Gleichstrom: 28 A
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
Pd - Verlustleistung: 118 W
Produkt: Power Modules
Produkt-Typ: MOSFET Modules
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 100 mOhms
Anstiegszeit: 4 ns
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Discrete and Power Modules
Technologie: SiC
Transistorpolung: N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 10 ns
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung: 1.2 kV
Vf - Durchlassspannung: 3.7 V
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 8 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 4 V
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Datenblatt

GEN3 1.200-V-SiC-MOSFET-Leistungsmodule

SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules with an isolated backplate are based on third-generation SiC technology and tested at over 1400V. These come in two versions, the GCMX series and the GCMS series. Both of these highly rugged and easy-mount devices provide smaller die sizes, faster switching speeds, and reduced losses. The lineup includes an overall drain-source on-resistance [RDS(on)] range from 8.4mΩ to 80mΩ with a switching time as low as 67ns. The COPACK MOSFETs (GCMS) with a Schottky barrier diode offer exceptional switching losses at a high junction temperature due to the low turn-on switching losses. The SemiQ GEN3 1200V SiC MOSFET Power Modules feature a continuous operational and storage temperature of -55°C to +175°C. Target applications include solar inverters, energy storage systems (ESS), battery charging, and server power supplies.

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