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HT8KF6HTB1

Name: ROHM Semiconductor HT8KF6HTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8KF6HTB1
Price: 1.96 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-HT8KF6HTB1

Herst.- Nr.:

HT8KF6HTB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs HSMT8 150V DUAL 7.A

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

HT8KF6HTB1 Datenblatt

ECAD Model:

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	€ 1,26	€ 12,60
	€ 0,857	€ 85,70
	€ 0,685	€ 342,50
	€ 0,645	€ 645,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,619	€ 1.857,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSMT-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	7 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	214 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	6.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	14 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	6.6 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	2.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	9.1 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns

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Datenblatt

HT8KF6HTB1 Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

ROHM Semiconductor Klein-Signal-Zweikanal MOSFETs zeichnen sich durch geringen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten aus. Diese MOSFETs sind RoHs-konform und verfügen über eine bleifreie Beschichtung. Die Zweikanal-MOSFETs arbeiten in einem Temperaturbereich von -55°°C bis 150 °°C. Diese MOSFETs werden in Motorantrieben und Applikationen verwendet.