Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

HT8MD5HTB1

Name: ROHM Semiconductor HT8MD5HTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8MD5HTB1
Price: 1.67 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-HT8MD5HTB1

Herst.- Nr.:

HT8MD5HTB1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs HSMT8 NPCH 80V 3.5A

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

HT8MD5HTB1 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu ROHM Semiconductor HT8MD5HTB1

Auf Lager: 2 400

Lagerbestand:: 2 400

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 3 000
Lieferzeit ab Hersteller:: 18

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

€ -,--

Erw. Preis:

€ -,--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	€ 1,67	€ 1,67
	€ 1,07	€ 10,70
	€ 0,718	€ 71,80
	€ 0,569	€ 284,50
	€ 0,521	€ 521,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	€ 0,495	€ 1.485,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	HSMT-8
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V, 80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8.5 A, 9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	112 mOhms, 191 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V, 4 V
Qg - Gate-Ladung:	3.1 nC, 17.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	13 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	4.6 ns, 33 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	1.8 S, 3 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns, 7 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	12 ns, 74 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5.8 ns, 9.4 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

HT8MD5HTB1 Datenblatt

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Kleinsignal- Zweikanal -MOSFETs

ROHM Semiconductor Klein-Signal-Zweikanal MOSFETs zeichnen sich durch geringen Einschaltwiderstand und schnelles Schalten aus. Diese MOSFETs sind RoHs-konform und verfügen über eine bleifreie Beschichtung. Die Zweikanal-MOSFETs arbeiten in einem Temperaturbereich von -55°°C bis 150 °°C. Diese MOSFETs werden in Motorantrieben und Applikationen verwendet.