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IAUCN08S7L033ATMA1

Name: Infineon IAUCN08S7L033ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IAUCN08S7L033ATM
Price: 2.32 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IAUCN08S7L033ATM

Herst.- Nr.:

IAUCN08S7L033ATMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IAUCN08S7L033ATMA1 Datenblatt (PDF)

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	€ 1,36	€ 13,60
	€ 1,01	€ 101,00
	€ 0,813	€ 406,50
	€ 0,724	€ 724,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	€ 0,663	€ 3.315,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PG-TDSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	130 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	44.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	118 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	14 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.9 ns
Serie:	OptiMOS 7
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	31.3 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6.1 ns
Artikel # Aliases:	IAUCN08S7L033 SP006059889

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Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

OptiMOS™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Die OptiMOS™ 7 80-V-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen von Infineon Technologies werden mit der führenden Leistungshalbleitertechnologie gefertigt. Diese MOSFETs wurden wurden gezielt für die Anforderungen anspruchsvoller Fahrzeuganwendungen hinsichtlich Leistungfähigkeit, Qualität und Robustheit entwickelt. Die 80-V-MOSFETs OptiMOS™ 7 arbeiten mit einer Gate-Source-Spannung von ±20 V_GS und in einem Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C. Diese MOSFETs werden in einem oberseitig gekühlten 5 x 7mm2 großen SSO10T SMD-Gehäuse angeboten. Das SSO10T-Gehäuse hilft Anwendern, Verbesserungen bei der Kühlung und Leistungsdichte zu erzielen. Die 80-V-Leistungs-MOSFETs sind MSL-1-zertifiziert, RoHS-konform und zu 100 % Avalanche-getestet. Diese Leistungs-MOSFETs eignen sich ideal für allgemeine Fahrzeuganwendungen.

OptiMOS™ 7 Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge

Infineon Technologies stellt seine führende OptiMOS™ 7 Fahrzeug Leistungs-MOSFETs -Technologie mit bemerkenswert niedrigem Einschaltwiderstand, reduzierten Schaltverlusten und erhöhter Robustheit vor. OptiMOS 7 definiert die Landschaft der Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuge neu. Die OptiMOS 7 MOSFET-Technologie von Infineon legt einen neuen Standard für Fahrzeuganwendungen fest, der Leistung und Wirkungsgrad ermöglicht und gleichzeitig die Herausforderungen der Fahrzeugsysteme von morgen erfüllt.