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IDH04G65C5XKSA2

Name: Infineon IDH04G65C5XKSA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IDH04G65C5XKSA2
Price: 1.94 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IDH04G65C5XKSA2

Herst.- Nr.:

IDH04G65C5XKSA2

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden SIC DIODES

Datenblatt:

IDH04G65C5XKSA2 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	4 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.5 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	38 A
Ir - Sperrstrom:	200 nA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	XDH04G65
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	AT
Pd - Verlustleistung:	48 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	500
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Handelsname:	CoolSiC
Vr - Sperrspannung:	650 V
Artikel # Aliases:	IDH04G65C5 SP001632402
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

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Models

Product Catalogs

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SPICE Models

Simulation Model SiC Diodes CoolSiC™ PSpice Generation 5 650V IDHxxG65C5 (Zip)

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ Siliziumkarbid-MOSFETs und -Dioden

Die Siliziumkarbid-CoolSiC™ -MOSFETs und -Dioden von Infineon bieten ein Portfolio, das den Bedarf an intelligenterer und effizienterer Energieerzeugung, -übertragung und -nutzung abdeckt. Das CoolSiC-Portfolio erfüllt die Kundenanforderungen nach einer Verringerung der Systemgröße und -kosten bei Systemen mit mittlerer bis hoher Leistung, während gleichzeitig die höchsten Qualitätsstandards eingehalten werden, eine lange Systemlebensdauer gewährleistet und die Zuverlässigkeit garantiert wird. Mit CoolSiC werden Kunden die strengsten Effizienzziele erreichen und gleichzeitig die Betriebskosten senken. Das Portfolio umfasst CoolSiC-Schottky-Dioden, CoolSiC-Hybridmodule, CoolSiC-MOSFET-Module und diskrete sowie EiceDRIVER™ -Gate-Treiber-ICs für die Ansteuerung von Siliziumkarbid-Geräten.

CoolSiC™ Schottky-Dioden

Infineon CoolSiC™ Schottky-Dioden bieten einen relativ hohen Einschaltwiderstand und Ableitstrom. Eine wesentlich höhere Durchschlagspannung kann in Schottky-Dioden mit einem SiC-Material erzielt werden. Das Portfolio an SiC-Schottky-Bauteilen von Infineon umfasst 600-V- und 650-V- bis 1.200-V-Schottky-Dioden. Die Kombination eines schnellen Silizium-basierten Schalters mit einer CoolSiC™ Schottky-Diode wird oft als „Hybrid “-Lösung bezeichnet. In den letzten Jahren hat Infineon mehrere Millionen Hybridmodule hergestellt und sie in verschiedenen Kundenprodukten in Applikationen wie z. B. Solar und USV installiert.

Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Q_c x V_f).

Erleben Sie den Unterschied in der Leistung

Infineon ist führend auf dem Leistungshalbleiter-Markt. Mit mehr als 20 Jahren Erfahrung und als Innovator der revolutionären CoolMOSTM™ -Superjunction-MOSFET-Technologie ist Infineon weiterhin eine Vorreiterrolle im Bereich des Energiemanagements. Kunden können basierend auf individuellen Design-/Systemanforderungen aus dem branchenweit breitesten Silizium-basierten SJ-MOSFET-Portfolio auswählen. Als einer der wenigen Hersteller, die alle drei Hauptenergietechnologien beherrschen, ergänzt Infineon dieses Sortiment durch ein bahnbrechendes Breitbandlücken-Angebot (WBG). Dieses Angebot umfasst Siliziumkarbid-basierte CoolSiC™-MOSFETs, Anpassungsdioden und Galliumnitrid-basierte CoolGaN ™ -E-Modus-HEMTs. Es gibt Lösungen, die von einem hervorragenden Preis-Leistungs-Verhältnis über eine unübertroffene Robustheit bis hin zu Geräten der Spitzenklasse reichen. Dies ermöglicht Kunden, effizientere, umweltfreundlichere und nachhaltigere Applikationen zu erstellen.