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IGB110S101XTMA1

Name: Infineon IGB110S101XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGB110S101XTMA1
Price: 1.95 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IGB110S101XTMA1

Herst.- Nr.:

IGB110S101XTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

GaN FETs MV GAN DISCRETES

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IGB110S101XTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 1,95	€ 1,95
	€ 1,20	€ 12,00
	€ 0,838	€ 83,80
	€ 0,701	€ 350,50
	€ 0,632	€ 632,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	€ 0,558	€ 2 790,00
	€ 0,553	€ 5 530,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PG-VSON-4
Transistorpolung:	HEMT
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	23 A
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, + 5.5 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.9 V
Qg - Gate-Ladung:	3.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	15 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolGaN
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	Transistors
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	100V G3
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Transistorart:	1 N-Channel
Typ:	CoolGaN Transistor
Artikel # Aliases:	IGB110S101 SP005751574

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Datenblatt

IGB110S101XTMA1 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ G3 Transistoren

CoolGaN™ G3 Transistoren von Infineon Technologies sind für ein überragendes Betriebsverhalten in Applikationen mit hoher Leistungsdichte ausgelegt. Diese Transistoren zeichnen sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand aus, was eine effiziente Leistungsumwandlung und reduzierte Energieverluste ermöglicht. Die CoolGaN G3 Transistoren von Infineon sind in vier Spannungsoptionen (60 V, 80 V, 100 V oder 120 V) erhältlich und ermöglichen ein extrem schnelles Schalten mit einer extrem niedrigen elektrischen Gate-/Ausgangsladung. Die Transistoren sind in kompakten PQFN-Gehäusen untergebracht, die das Wärmemanagement verbessern und eine beidseitige Kühlung unterstützen, was einen zuverlässigen Betrieb auch unter anspruchsvollen Bedingungen gewährleistet. Diese Funktionen machen CoolGaN G3-Transistoren zu einer der besten Wahl für Applikationen, wie z. B. Telekommunikation, Netzteile für Rechenzentren und industrielle Leistungssysteme.

CoolGaN™ 100 V G3 Transistoren

CoolGaN™ 100 V G3 Transistoren von Infineon Technologies sind normalerweise ausgeschaltete Anreicherungsmodus (E-Modus)-Leistungstransistoren in einem kompakten Gehäuse. Diese Transistoren zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus, wodurch die Bauteile eine ideale Wahl für zuverlässige Leistung in anspruchsvollen Hochstrom- und Hochspannungs-Applikationen sind. Die CoolGaN-Transistoren sind darauf ausgelegt, das Wärmemanagement zu verbessern. Typische Applikationen sind Audioverstärker-Lösungen, Photovoltaik, Telekommunikationsinfrastruktur, Elektromobilität, Robotik und Drohnen.