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IGL65R080D2XUMA1

Name: Infineon IGL65R080D2XUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IGL65R080D2XUMA1
Price: 4.77 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IGL65R080D2XUMA1

Herst.- Nr.:

IGL65R080D2XUMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

GaN FETs CoolGaN Transistor 650 V G5

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

IGL65R080D2XUMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	€ 2,37	€ 237,00
	€ 2,20	€ 1 100,00
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	€ 1,87	€ 5 610,00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	GaN FETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	HEMT
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	18 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	100 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.6 V
Qg - Gate-Ladung:	25 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	81 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	CoolGaN
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	MY
Land der Verbreitung:	DE
Ursprungsland:	AT
Abfallzeit:	17 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	GaN FETs
Produkt-Typ:	GaN FETs
Anstiegszeit:	8 ns
Serie:	CoolGaN G5
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	Si
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	11 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Artikel # Aliases:	IGL65R080D2 SP006065174

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Datenblatt

IGL65R080D2XUMA1 Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren

Die CoolGaN™ 650 V G5-Transistoren von Infineon Technologies verfügen über eine hocheffiziente Galliumnitrid (GaN)-Transistortechnologie für die Leistungsumwandlung. Die Produktfamilie 650 V G5 eignet sich für Anwendungen in den Bereichen Verbraucher, Rechenzentren, Industrie und Solar. Die Transistoren bieten eine verbesserte Systemeffizienz und Leistungsdichte mit extrem schneller Schaltfähigkeit. Die CoolGaN-Technologie bietet diskrete und integrierte Lösungen, die die Gesamtleistung des Systems verbessern. Die Transistoren der Baureihe CoolGaN 650 V G5 von Infineon Technologies ermöglichen hohe Betriebsfrequenzen und reduzieren die EMI-Werte. Diese Transistoren sind ideal für die Stromverteilung, Schaltnetzteile (SMPS), Telekommunikation und andere industrielle Anwendungen.