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IPI086N10N3 G

Name: Infineon IPI086N10N3 G
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPI086N10N3G
Price: 1.89 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IPI086N10N3G

Herst.- Nr.:

IPI086N10N3 G

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch 100V 80A I2PAK-3 OptiMOS 3

Datenblatt:

IPI086N10N3 G Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	€ 0,92	€ 9,20
	€ 0,824	€ 82,40
	€ 0,658	€ 329,00
	€ 0,613	€ 613,00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-262-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	80 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.7 V
Qg - Gate-Ladung:	55 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	125 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	MY
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	42 ns
Serie:	OptiMOS 3
Verpackung ab Werk:	500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	31 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18 ns
Artikel # Aliases:	SP000683070 IPI86N1N3GXK IPI086N10N3GXKSA1
Gewicht pro Stück:	2,387 g

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

IRF540N/Z Advanced HEXFET® Leistungs-MOSFETs

Die IRF540N/Z Advanced HEXFET® Leistungs-MOSFETs von International Rectifier nutzen modernste Verarbeitungstechnologien, um einen extrem geringen On-Widerstand pro Siliziumbereich zu erreichen. Dieser Vorteil zusammen mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign und der Sperrschichtbetriebstemperaturen von 175°, für die die HEXFET® Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bieten dem Konstrukteur ein hochwirksames und verlässliches Gerät für eine Vielzahl von Anwendungen.
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