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IRF540ZPBF

Name: Infineon IRF540ZPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 942-IRF540ZPBF
Price: 1.09 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

942-IRF540ZPBF

Herst.- Nr.:

IRF540ZPBF

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs MOSFT 100V 36A 26.5mOhm 42nC Qg

Datenblatt:

IRF540ZPBF Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	36 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	26.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	42 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	92 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Infineon Technologies
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	TW
Ursprungsland:	TW
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	2 g

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Spice Model - IRF540Z

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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